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无线和射频半导体

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AFT09S200W02GNR3

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
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数量单价合计
250
¥650.2924
162573.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935320369528
单位重量
3.197 g
商品其它信息
优势价格，AFT09S200W02GNR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC609
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 2 - 4 GHz
25:¥319.1911
100:¥298.6025
250:¥288.3082
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HMC370LP4
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
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10:¥251.0408
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无线和射频半导体
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2,500:¥19.436
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AT0603T04ECAS3
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1:¥209.8523
10:¥192.2582
25:¥174.811
50:¥165.8162
参考库存:27861
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