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无线和射频半导体

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AFT23H200-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
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数量单价合计
150
¥732.127
109819.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
输出功率
200 W
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2300 MHz
系列
AFT23H200_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311216128
单位重量
8.576 g
商品其它信息
优势价格，AFT23H200-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MA47872
MACOM
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200:¥129.3172
250:¥118.2545
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