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无线和射频半导体

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CGHV35060MP

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt
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库存:38,712(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,071.9971
267999.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
10.4 A
输出功率
75 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 107 C
Pd-功率耗散
52 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Reel
应用
S Band Radar and LTE base stations
配置
Single
工作频率
3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 107 C
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV35060MP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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无线和射频半导体
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无线和射频半导体
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无线和射频半导体
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1:¥34.0356
10:¥27.3573
100:¥24.973
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无线和射频半导体
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1:¥0.7684
10:¥0.5537
100:¥0.3842
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.25312
100,000:¥0.23052
参考库存:53888
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