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无线和射频半导体
AFV141KHSR5参考图片

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AFV141KHSR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
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50
¥3,779.1494
188957.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935316277178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFV141KHSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SA612AD/01,112
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频混合器 LP VHF DBL-BAL W/OSC
1:¥17.5941
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
参考库存:20637
HMC441LP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6.5 - 13.5 GHz
1:¥196.1002
5:¥185.3426
10:¥180.8791
25:¥162.5957
参考库存:4809
HMC595AE
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC T/R Switch, DC - 3 GHz
1:¥47.1775
10:¥42.6462
50:¥40.6461
100:¥35.3464
参考库存:4346
ADL5531ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 20-500MHz IF Gain Block
1:¥30.0467
10:¥26.8149
25:¥24.1255
50:¥23.052
1,500:¥14.5996
参考库存:9063
MA4PK2003
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 2000Vr 1.2Vf Ct=3.2pF -65C +175C
1:¥509.6752
5:¥476.3289
参考库存:4360
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