EZR32HG320F32R61G-B0详细参数_参考价格_EZR32HG320F32R61G-B0 PDF资料_Silicon Labs

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Silicon Laboratories
产品种类	射频微控制器 - MCU
RoHS	是
核心	ARM Cortex M0+
工作频率	142 MHz to 1.05 GHz
数据总线宽度	32 bit
程序存储器大小	32 kB
数据 RAM 大小	8 kB
最大时钟频率	25 MHz
ADC分辨率	12 bit
工作电源电压	1.98 V to 3.8 V
最大工作温度	+ 85 C
封装 / 箱体	QFN-48
安装风格	SMD/SMT
程序存储器类型	Flash
系列	EZR32HG
商标	Silicon Labs
数据 Ram 类型	RAM
接口类型	I2C, SPI, UART, USART, USB
输入/输出端数量	25 I/O
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
ADC通道数量	8 Channel
定时器数量	3 x 16 bit
处理器系列	EZR32HG320
产品类型	RF Microcontrollers - MCU
工厂包装数量	416
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	3.8 V
电源电压-最小	1.98 V
商标名	EZR32

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADL5243ACPZ-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 100 MHz to 4000 MHz RF/IF Digi Cont VGA	1,500:¥54.4773	参考库存:23641
MMRF1008HSR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V	1:¥2,121.1682 5:¥2,088.5903 10:¥2,057.4701 25:¥2,013.0498 50:¥1,982.1669	参考库存:23646
NE5550979A-EV04-A	CEL	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz	1:¥960.50	参考库存:23651
HMC463LH250	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 lo Noise amp SMT w/AGC, 2 - 20 GHz	1:¥3,105.7937 5:¥3,028.9537	参考库存:23656
NB3N511DR2G	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL 3.3V / 5.0V 200 MHz PLL Clock Multi	1:¥36.5781 10:¥31.1202 100:¥26.9731 250:¥25.5832 2,500:¥18.3625	参考库存:23661