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无线和射频半导体
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BLV32F

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数量单价合计
1
¥734.8164
734.8164
10
¥674.271
6742.71
25
¥605.115
15127.875
50
¥535.959
26797.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
316-01
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
82 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV32F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4730-D62-GMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 FM/AM receiver
2,500:¥16.6788
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PXV1220S-1DBN4-T
Susumu
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1,000:¥71.4612
参考库存:42986
STS3921XM7BABA
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射频前端
1,000:¥12.3735
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CYW20730A2KML2G
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490:¥17.515
980:¥14.1363
1,470:¥13.221
2,940:¥12.5995
5,390:¥12.0684
参考库存:42996
SBB3089ZSR
Qorvo
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100:¥19.2891
参考库存:43001
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