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无线和射频半导体
HMC408LP3ETR参考图片

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HMC408LP3ETR

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数量单价合计
500
¥67.009
33504.5
1,000
¥58.7035
58703.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
Power Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
5.1 GHz to 5.9 GHz
P1dB - 压缩点
30 dBm
增益
20 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
6 dB
OIP3 - 三阶截点
43 dBm
工作电源电流
750 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC408
封装
Reel
产品
InGaP/GaAs HBT
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
8 dB
Pd-功率耗散
4.71 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格,HMC408LP3ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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