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无线和射频半导体
MRF6V13250HSR5参考图片

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MRF6V13250HSR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
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数量单价合计
1
¥2,209.2291
2209.2291
5
¥2,175.2613
10876.3065
10
¥2,142.9094
21429.094
25
¥2,096.6585
52416.4625
50
¥2,064.4648
103223.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
120 V
增益
20 dB
输出功率
230 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.3 GHz
系列
MRF6V13250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
476 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
零件号别名
935323152178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V13250HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 DC-6 GHz 3 Bit, 1dB LSB DATT
1:¥53.9462
10:¥48.7934
25:¥46.4882
100:¥40.4201
500:¥35.1882
参考库存:9928
无线和射频半导体
RF 开关 IC .5-3.0GHz SPST IL .7dB @2.0GHz
1:¥18.3625
10:¥16.5206
25:¥14.9838
100:¥13.2888
3,000:¥8.3733
参考库存:11390
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz RF Receiver
1:¥18.2156
10:¥17.9783
25:¥16.7466
100:¥15.142
参考库存:11317
无线和射频半导体
预定标器 1.1GHz Low Power 预定标器 w/ Standby
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:6154
无线和射频半导体
射频接收器 Sonar Ranging Rcvr
1:¥57.9351
10:¥52.4094
25:¥48.4883
100:¥43.3355
参考库存:5476
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