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无线和射频半导体
MT3S113P(TE12L,F)参考图片

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MT3S113P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6669
466.69
500
¥4.1132
2056.6
1,000
¥3.2544
3254.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S113P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.7 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1.6 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,MT3S113P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 4.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1:¥190.2581
10:¥163.3641
25:¥147.1486
100:¥128.4019
200:¥112.7966
参考库存:5002
无线和射频半导体
射频放大器 2.0-3.0GHz NF .89dB Gain 17.3dB
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
100:¥22.3627
3,000:¥13.8312
参考库存:5779
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block Chip, DC - 4 GHz
50:¥190.8683
100:¥181.3424
250:¥172.9691
500:¥164.5958
参考库存:4631
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PHASE LOCKED LOOP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.6444
2,000:¥4.6443
参考库存:7643
无线和射频半导体
射频放大器 SI MMIC FU=3.0GHZ
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:44750
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