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无线和射频半导体
MRF8P20140WHSR3参考图片

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MRF8P20140WHSR3

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4
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库存:29,095(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥700.0124
175003.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16 dB
输出功率
24 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.88 GHz to 2.025 GHz
系列
MRF8P20140WH
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935323134128
单位重量
3.086 g
商品其它信息
优势价格,MRF8P20140WHSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 1.6-2GHz NF 3.3dB -30C +85C
1:¥43.5728
25:¥33.4254
100:¥26.1256
250:¥21.6734
2,500:¥14.9047
参考库存:14479
无线和射频半导体
射频前端 Bluetooth Low Energy BT Smart 802.15.4
1:¥11.6051
10:¥10.4525
25:¥9.379
100:¥8.3733
3,000:¥4.7912
参考库存:30871
无线和射频半导体
射频前端 5GHz Wi-Fi Front End Module
1:¥18.9049
250:¥17.289
500:¥15.142
5,000:¥8.2264
10,000:¥6.3054
参考库存:26953
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
15,000:¥1.921
参考库存:76910
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz
1:¥427.3886
5:¥414.4727
10:¥401.489
25:¥388.5844
参考库存:2887
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