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无线和射频半导体
MRF6V12500HR5参考图片

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MRF6V12500HR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
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库存:27,119(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,904.6311
2904.6311
5
¥2,859.9848
14299.924
10
¥2,817.4177
28174.177
25
¥2,756.635
68915.875
50
¥2,714.2939
135714.695
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
18.5 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12500H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310167178
单位重量
6.425 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V12500HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC WB 4GHz 36dB Iso CMOS Dual SPDT
1:¥37.0414
10:¥33.0412
25:¥29.7416
50:¥28.3517
参考库存:5277
无线和射频半导体
射频放大器 3.3-3.8GHz SSG 34dB NF 5db P1dB 33.5dBm
1:¥156.2903
25:¥119.7122
100:¥93.5188
250:¥77.4502
500:¥69.5402
1,000:¥61.0087
参考库存:6089
无线和射频半导体
射频混合器 aAs Sub Harm IRM Mix Chip, 26 - 33 GHz
25:¥170.0424
100:¥161.59
250:¥154.1433
500:¥146.6853
参考库存:4546
无线和射频半导体
衰减器 10-4000MHz Attn 30dB Quad Pi Attenuator
1:¥11.526
10:¥9.2999
100:¥7.1303
500:¥6.328
3,000:¥4.294
参考库存:16718
无线和射频半导体
射频前端 850 - 950MHz 射频前端
1:¥23.052
10:¥20.7468
100:¥16.9839
250:¥15.9104
500:¥14.4414
参考库存:16220
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