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无线和射频半导体
STAC4932F参考图片

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STAC4932F

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
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数量单价合计
1
¥919.0064
919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 mA
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
24.6 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244F
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC4932F
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
6 S
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格，STAC4932F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥7.5258
100:¥6.1698
500:¥5.2432
1,000:¥4.0228
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MMBF4416
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1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.5763
参考库存:34637
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