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无线和射频半导体
PD85035S-E参考图片

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PD85035S-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥254.1822
254.1822
5
¥251.5719
1257.8595
10
¥234.4411
2344.411
25
¥223.9095
5597.7375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85035S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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1:¥346.7744
参考库存:5314
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1:¥10.1474
10:¥9.1417
25:¥8.2264
100:¥7.345
3,000:¥4.2036
参考库存:20066
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz Receiver, 1.2kbps, 1.7mA With Shutdown
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
2,500:¥16.3624
参考库存:34796
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2:¥1,278.6967
6:¥1,260.5602
10:¥1,224.6036
26:¥1,161.5948
参考库存:5113
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6GHz IL .6dB Iso 21dB @5.5GHz
1:¥10.7576
10:¥9.605
25:¥8.2942
100:¥7.5371
3,000:¥4.4522
参考库存:18590
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