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产品分类

无线和射频半导体
BF 888 H6327参考图片

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BF 888 H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3222
33.222
100
¥2.0227
202.27
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BF888
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
13 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BF888H6327XT BF888H6327XTSA1 SP000745170
商品其它信息
优势价格,BF 888 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 WIDEBAND AMPLIFIER
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:45250
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 二极管 300mW 180V 0603C HF
1:¥33.5836
10:¥26.9731
100:¥24.5888
250:¥22.2045
4,000:¥15.368
参考库存:3307
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥156.8327
5:¥155.2168
10:¥144.6852
25:¥138.1538
参考库存:2059
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6.0GHz DPDT IL .6dB @ 2.5GHz
1:¥7.458
10:¥6.7009
25:¥5.7969
100:¥5.2206
3,000:¥3.0849
参考库存:21886
无线和射频半导体
RFID应答器 16kB EEPROM Dual INT 400 kHz IC2 13.56MHz
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
5,000:¥4.3957
参考库存:20103
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