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无线和射频半导体
PD54008TR-E参考图片

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PD54008TR-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
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数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
600
¥83.3714
50022.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
11.5 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD54008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD54008TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 Consumer Electronics AM/FM + AUXIN Receiver 24p SSOP, lead free
1:¥20.3626
10:¥19.9784
25:¥19.5942
50:¥19.21
100:¥17.8314
参考库存:28046
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1024HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,167.3578
5:¥1,141.30
10:¥1,117.9429
25:¥1,101.4223
50:¥1,061.4655
参考库存:28051
无线和射频半导体
射频放大器 I.C. DC-7 GHz HBT Gain Block Die
2:¥422.3149
6:¥409.5572
10:¥396.7204
26:¥383.974
参考库存:28056
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz NF 3.8dB Gain 16dB Max
1:¥51.641
10:¥39.8777
100:¥36.273
250:¥32.8152
1,000:¥24.0464
参考库存:28061
无线和射频半导体
射频接收器 Automotive GPS/Galileo/GLONASS/BeiDou/QZSS receiver
1:¥63.9354
10:¥57.7882
25:¥55.0988
100:¥47.8668
参考库存:28066
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