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无线和射频半导体
A2I20D040NR1参考图片

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A2I20D040NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频放大器 A2I20D040N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
1
¥414.2467
414.2467
5
¥391.884
1959.42
10
¥386.2792
3862.792
25
¥358.3004
8957.51
500
¥283.6978
141848.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频放大器
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270WB-17
类型
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
工作频率
1.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点
45.6 dBm
增益
32.1 dB
工作电源电压
28 V
测试频率
1.9 GHz
工作电源电流
220 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
935316291528
单位重量
1.580 g
商品其它信息
优势价格,A2I20D040NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL HIGH PERFORMANCE RF SYNTHESIZER
2,500:¥495.0078
参考库存:30865
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC IEEE 802.15.4 2.4 GHz SoC
1:¥51.2568
10:¥48.4092
25:¥47.0306
50:¥45.5616
参考库存:30870
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RSA14100 WiseMCU
1:¥249.4249
10:¥230.4409
20:¥230.0567
50:¥228.9041
参考库存:30875
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:30880
无线和射频半导体
射频放大器 TGA2752-SM T/R, 7.1-8.5GHZ 10W PA
500:¥1,329.6371
参考库存:30885
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