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无线和射频半导体
MRF8P29300HR6参考图片

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MRF8P29300HR6

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
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库存:22,880(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥2,665.8847
399882.705
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13.3 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
系列
MRF8P29300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935319706128
单位重量
13.193 g
商品其它信息
优势价格,MRF8P29300HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 .05-10GHz NF 3.8dB Gain 12dB
1:¥30.736
10:¥29.1992
100:¥26.9731
250:¥23.8204
2,500:¥10.2943
参考库存:8554
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RF4CE Remote, SoC, 128 kB flash, 12 kB RAM
1:¥35.8097
10:¥33.8096
25:¥32.8152
50:¥31.8095
2,000:¥26.8149
参考库存:12596
无线和射频半导体
调节器/解调器 Wideband I/Q Demodulator with Integrated VGA
1:¥144.7643
25:¥96.2082
100:¥79.5294
250:¥75.5292
参考库存:3838
无线和射频半导体
射频放大器 4.4-5.0GHz 3W GaN PA MODULE
1:¥361.9164
25:¥293.1446
100:¥237.4356
200:¥220.8359
参考库存:3615
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth low energy wireless system-on-chip
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:40382
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