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无线和射频半导体
BAP50-05W,115参考图片

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BAP50-05W,115

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • PIN 二极管 PIN GP 50V 50MA
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库存:35,691(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.66105
1983.15
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
50 V
最大二极管电容
0.5 pF
最大串联电阻(中频最大时)
5 Ohms
If - 正向电流
50 mA
Vf - 正向电压
1.1 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual Common Cathode
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
NXP Semiconductors
载流子寿命
1.05 us
最大串联电阻(中频最小时)
40 Ohms
Pd-功率耗散
240 mW
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
934056537115
单位重量
5.600 mg
商品其它信息
优势价格,BAP50-05W,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Integer-N/Fract N PLL
3,000:¥63.5512
参考库存:32075
无线和射频半导体
射频放大器 1800-2200 MHz used for Band 1
1:¥1,641.9126
5:¥1,553.3206
10:¥1,531.037
25:¥1,420.0823
参考库存:32080
无线和射频半导体
射频接收器 Fully Integrated GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/QZSS Receiver with embedded RF and in-package Flash
1:¥73.1562
10:¥66.1615
25:¥63.0879
100:¥54.7146
参考库存:32085
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC LNA 7 - 12 GHz
2:¥690.3283
6:¥668.0447
10:¥654.6768
26:¥628.0088
参考库存:32090
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.915
5:¥218.6098
10:¥203.7842
25:¥194.7103
600:¥157.9853
参考库存:32095
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