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无线和射频半导体
BFR840L3RHESDE6327XTSA1参考图片

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1

  • Infineon Technologies
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  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.068
40.68
100
¥2.486
248.6
1,000
¥1.9097
1909.7
15,000
¥1.4464
21696
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR840L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.9 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
75 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
840L3RHESD BFR BFR84L3RHESDE6327XT E6327 SP000978848
商品其它信息
优势价格,BFR840L3RHESDE6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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