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无线和射频半导体
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SD2932

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数量单价合计
1
¥1,061.3864
1061.3864
10
¥973.947
9739.47
25
¥874.055
21851.375
50
¥774.163
38708.15
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M244
封装
Tray
配置
Single
工作频率
250 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
商品其它信息
优势价格,SD2932的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频检测器 40MHz-10GHzRMSDetect w/57dB Dynamic Range
1:¥138.312
25:¥91.9029
100:¥75.9925
250:¥72.1505
参考库存:3039
无线和射频半导体
射频无线杂项 2.2-2.8GHz 2-way 0 deg Power Divider
1:¥15.8313
10:¥12.7577
100:¥11.526
250:¥10.2152
3,000:¥7.4354
参考库存:15171
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSoC4
1:¥53.1778
10:¥47.8668
25:¥43.6406
50:¥40.341
参考库存:3233
无线和射频半导体
射频前端 2400-2500MHz 3.0V to 4.8V
1:¥54.8615
100:¥48.6352
250:¥40.8043
500:¥34.4989
2,500:¥18.8258
参考库存:14425
无线和射频半导体
射频放大器 3.4-3.8GHz 4W Small Cell PAE 29%
1:¥94.0499
10:¥85.0664
25:¥78.3768
50:¥73.9246
2,500:¥54.3982
参考库存:13592
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