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无线和射频半导体
PTFA080551E-V4-R0参考图片

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PTFA080551E-V4-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET
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数量单价合计
1
¥348.4694
348.4694
50
¥348.4694
17423.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
450 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
55 W
安装风格
Screw Mount
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
869 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
219 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V to 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
商品其它信息
优势价格,PTFA080551E-V4-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 sub-GHz ASK/FSK Transmitter
1:¥9.2999
25:¥7.2659
50:¥7.0173
250:¥6.0907
1,000:¥5.5822
参考库存:4039
无线和射频半导体
射频前端 5GHz FEM Gain 30dB Pout 16dBm
1:¥17.9783
10:¥16.2155
25:¥14.5205
100:¥13.0628
3,000:¥7.4806
参考库存:16276
无线和射频半导体
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
1:¥1,340.632
参考库存:1963
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:115515
无线和射频半导体
射频前端 CL READER IC'S
1:¥53.4038
10:¥48.251
25:¥46.0249
100:¥39.9568
6,000:¥26.9731
参考库存:97227
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