HMC311LP3ETR详细参数_参考价格_HMC311LP3ETR PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-32
类型	HBT Gain Block
技术	GaAs InGaP
工作频率	DC to 6 GHz
P1dB - 压缩点	15.5 dBm
增益	14.5 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	4.5 dB
OIP3 - 三阶截点	32 dBm
工作电源电流	90.5 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC311
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	18 dB
Pd-功率耗散	0.59 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	188.600 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ZL70250UEJ2	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 ASEK RDL SURF in Tray	1:¥87.7558 10:¥79.7554 25:¥73.7664 50:¥69.7662	参考库存:2655
HMC1030LP5E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 Dual RMS pow Det , SE, DC - 3.9 GHz	1:¥203.4678 5:¥192.326 10:¥187.7156 25:¥168.7429	参考库存:2062
BF861B,235	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 15mA	1:¥5.0737 10:¥4.5426 25:¥4.0906 100:¥3.5934 10,000:¥1.7741	参考库存:49474
MAX2615ETA+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Broadband Gain Block	1:¥25.7414 10:¥22.9729 25:¥20.6677 50:¥16.9839 2,500:¥11.3678	参考库存:12366
LTC5577IUF#PBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 300MHz to 6GHz High Signal Level Active Downconverting Mixer	1:¥125.4074 25:¥83.2923 100:¥68.8509 250:¥65.4722	参考库存:2888