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无线和射频半导体
VRF3933参考图片

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VRF3933

  • Microchip / Microsemi
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥891.344
891.344
2
¥863.6816
1727.3632
5
¥863.3765
4316.8825
10
¥835.5559
8355.559
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
260 V
增益
28 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
8 mS
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格,VRF3933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
1,000:¥15.0629
参考库存:14718
无线和射频半导体
射频收发器 SigFox 868MHz Transceiver
1:¥19.1309
10:¥18.8258
25:¥15.9104
100:¥15.2889
6,000:¥15.2889
参考库存:34775
无线和射频半导体
射频收发器 2.4 GHZ ZigBee Transceiver 125C
1:¥26.2047
10:¥25.8205
25:¥23.9786
100:¥23.8995
参考库存:7337
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3.5GHZ NF 2.8dB Gain 16.3dB
1:¥18.9049
25:¥14.2154
100:¥11.1418
250:¥9.1417
3,000:¥7.0738
参考库存:29899
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥100.5022
5:¥98.1292
10:¥90.9763
25:¥83.7556
参考库存:8736
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