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产品分类

无线和射频半导体
MRF085HR5参考图片

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MRF085HR5

  • NXP Semiconductors
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
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数量单价合计
1
¥1,121.5589
1121.5589
5
¥1,099.7386
5498.693
10
¥1,063.4656
10634.656
25
¥1,018.4351
25460.8775
50
¥1,004.457
50222.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
210 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
25.6 dB
输出功率
85 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-650H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 1215 MHz
系列
MRF085H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
235 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935351494178
单位重量
0 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 mix, 1900MHz, BiCMOS
1:¥146.1542
10:¥134.3909
25:¥128.8652
100:¥113.4972
500:¥105.7341
参考库存:4527
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 200MHz 10 IND Programable
1:¥442.3724
5:¥429.8407
10:¥410.1674
25:¥395.6469
参考库存:2704
无线和射频半导体
射频无线杂项 RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output
1:¥67.6983
10:¥64.0032
25:¥62.0822
50:¥60.2403
参考库存:3141
无线和射频半导体
射频放大器 x16 Active mult , 9.9 to 11.2 GHz Fout
1:¥574.9214
5:¥565.8475
10:¥546.1742
25:¥528.1959
参考库存:2168
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SP4T Non-Refl Swtch DC
1:¥66.9299
10:¥60.4776
25:¥57.7091
100:¥50.1042
500:¥43.6406
参考库存:7110
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