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无线和射频半导体
CG2H30070F-TB2参考图片

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CG2H30070F-TB2

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥6,627.45
6627.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
85 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
CG2H30070F
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
0.5 GHz to 3 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,CG2H30070F-TB2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
7,500:¥1.7515
参考库存:27966
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=.7nH SC-79 Single
1:¥2.8476
10:¥2.486
100:¥1.8532
500:¥1.4577
3,000:¥0.99892
参考库存:204388
无线和射频半导体
射频放大器 .1-3.0GHz InGaP HBT Sm Sig Gain 20dB
1:¥20.1366
10:¥16.2155
100:¥14.5996
250:¥12.9837
3,000:¥8.3733
参考库存:14620
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz NF 5.5dB, Gain 20dB
1:¥247.7299
25:¥233.2885
参考库存:5102
无线和射频半导体
射频前端 0.5-1.1GHz Adj RF Predistorter
1:¥165.8162
10:¥160.6747
25:¥140.0748
50:¥130.9331
参考库存:5089
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