HMC591详细参数_参考价格_HMC591 PDF资料_Analog Devices

无线和射频半导体

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100	¥497.3808	49738.08

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
类型	Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	6 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点	33 dBm
增益	23 dB
工作电源电压	7 V
NF—噪声系数	-
OIP3 - 三阶截点	43 dBm
工作电源电流	1.34 A
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC591G
封装	Gel Pack
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 dB
Pd-功率耗散	10.59 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	25
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
QPC3213SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 50-6000MHz 2 bit 18dB range 6dB step	1:¥55.2457 25:¥46.9515 100:¥39.8777	参考库存:1438
BFU520AR	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor	1:¥3.0736 10:¥2.5312 100:¥1.5481 1,000:¥1.1978 3,000:¥1.02152	参考库存:1910
CC3220RM2ARGKR	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU PG 3.1	1:¥78.8401 10:¥71.2352 25:¥65.9242 100:¥58.9408 2,500:¥43.0304	参考库存:30835
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HMC630LP3E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 HBT Vector Modulator SMT, 700 - 1000 MHz	1:¥177.2744 5:¥167.5112 10:¥163.511 25:¥146.9226	参考库存:1134