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无线和射频半导体
SD57030参考图片

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SD57030

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
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数量单价合计
1
¥437.3778
437.3778
5
¥427.5355
2137.6775
10
¥410.868
4108.68
25
¥397.5679
9939.1975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243-3
封装
Bulk
配置
Single
高度
4.45 mm
长度
20.57 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57030
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.1 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.8 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
74 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,SD57030的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 2.3-3.8GHz IL:3.2dB 360 in 22.5 steps
1:¥483.7869
2:¥475.9447
5:¥465.7295
10:¥458.2715
500:¥305.5972
参考库存:4706
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Single SOT-23
1:¥4.9946
10:¥3.9211
100:¥2.9719
500:¥2.5312
3,000:¥1.6611
参考库存:48178
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3.5GHz NF 3.7dB Gain 12.3dB
1:¥18.9049
25:¥14.2154
100:¥11.1418
250:¥9.1417
3,000:¥7.0738
参考库存:14690
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC QFN48pkt 256kB Flash 32kB RAM XLR3
暂无价格
参考库存:41950
无线和射频半导体
射频无线杂项 CONTROL
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5258
3,000:¥5.8082
参考库存:18182
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