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无线和射频半导体
A3I35D025WNR1参考图片

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A3I35D025WNR1

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频放大器 LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V
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数量单价合计
1
¥372.2107
372.2107
5
¥352.1532
1760.766
10
¥347.0908
3470.908
25
¥321.9596
8048.99
500
¥254.8828
127441.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270WB-17
类型
Wideband
工作频率
3200 MHz to 4000 MHz
增益
28.9 dB
工作电源电压
28 V
测试频率
3800 MHz
工作电源电流
260 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A3I35D025
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
935373852528
商品其它信息
优势价格,A3I35D025WNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 37 - 45 GHz
25:¥518.1276
100:¥482.9394
参考库存:28905
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2,500:¥60.2403
参考库存:28910
无线和射频半导体
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25:¥698.6338
100:¥658.9821
参考库存:28915
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2,500:¥25.3572
参考库存:28920
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB IND
1:¥128.481
10:¥116.7968
25:¥108.0393
50:¥99.2818
参考库存:28925
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