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无线和射频半导体
BAR 74 E6327参考图片

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BAR 74 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • PIN 二极管 Silicon Switch Diode 250mA
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数量单价合计
1
¥1.4577
1.4577
10
¥1.3334
13.334
100
¥0.45313
45.313
1,000
¥0.30736
307.36
3,000
¥0.23052
691.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
PIN 二极管
RoHS
是
Vr - 反向电压
50 V
最大二极管电容
2 pF
If - 正向电流
250 mA
Vf - 正向电压
1 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
系列
BAR74
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
2.9 mm
类型
Switching Diode
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
恢复时间
4 ns
Ir - 反向电流
100 uA
Pd-功率耗散
370 mW
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BAR74E6327HTSA1 BAR74E6327XT SP000010202
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BAR 74 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC292ALC3BTR-R5
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 GaAs MMIC Fundamentl mix , 16 - 30 GHz
1:¥448.2032
5:¥434.6093
10:¥421.0041
25:¥407.478
500:¥366.7528
参考库存:5319
QPB8858TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 1.2GHz, 32dB Push-Pull MMIC
1:¥49.0985
250:¥45.3356
500:¥40.341
2,500:¥40.341
参考库存:3481
BGS8324Z
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 BGS8324/HX2QFN12///REEL 7 Q2 NDP
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.0792
参考库存:26733
MAX1473EUI+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz/434MHz Superheterodyne Rcvr
1:¥48.1041
10:¥42.9513
25:¥38.646
50:¥31.6626
2,500:¥19.9784
参考库存:19160
MMA043PP4
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC, .5-12Ghz LNA
1:¥604.9568
2:¥593.0466
5:¥586.5943
10:¥568.2318
参考库存:2062
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