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无线和射频半导体

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MMBFJ211

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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.2769
127.69
1,000
¥0.9605
960.5
3,000
¥0.82264
2467.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Id-连续漏极电流
20 mA
最大漏极/栅极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
225 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
MMBFJ211
类型
JFET
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.006 S to 0.012 S
闸/源截止电压
- 4.5 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBFJ211的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Integer-N/Fract N PLL
3,000:¥63.5512
参考库存:32075
无线和射频半导体
射频放大器 1800-2200 MHz used for Band 1
1:¥1,641.9126
5:¥1,553.3206
10:¥1,531.037
25:¥1,420.0823
参考库存:32080
无线和射频半导体
射频接收器 Fully Integrated GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/QZSS Receiver with embedded RF and in-package Flash
1:¥73.1562
10:¥66.1615
25:¥63.0879
100:¥54.7146
参考库存:32085
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC LNA 7 - 12 GHz
2:¥690.3283
6:¥668.0447
10:¥654.6768
26:¥628.0088
参考库存:32090
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.915
5:¥218.6098
10:¥203.7842
25:¥194.7103
600:¥157.9853
参考库存:32095
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