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无线和射频半导体

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HMC-ALH216

  • Analog Devices / Hittite
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  • 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 14-27 GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
14 GHz to 27 GHz
P1dB - 压缩点
14 dBm
增益
18 dB
工作电源电压
4 V
NF—噪声系数
2.7 dB
工作电源电流
90 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH216G
封装
Gel Pack
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
Pd-功率耗散
1.4 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
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