HMC414MS8GETR详细参数_参考价格_HMC414MS8GETR PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	MSOP-8
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	2.2 GHz to 2.8 GHz
P1dB - 压缩点	27 dBm
增益	20 dB
工作电源电压	3.6 V, 5 V
NF—噪声系数	7 dB
OIP3 - 三阶截点	39 dBm
工作电源电流	300 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC414
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	8 dB
Pd-功率耗散	1.755 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BGM13GBA9E6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 MULTI CHIP MODULES	4,500:¥2.3956 9,000:¥2.3165 22,500:¥2.2261	参考库存:43183
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MA4EX240H1-1225T	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器	1:¥47.4826 10:¥36.725 100:¥33.3463 250:¥30.1936	参考库存:43198
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