HMC452QS16GE详细参数_参考价格_HMC452QS16GE PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QSOP-16
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	31 dBm
增益	9 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	7.5 dB
OIP3 - 三阶截点	48 dBm
工作电源电流	485 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC452
封装	Cut Tape
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	11 dB
Pd-功率耗散	2.7 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	288 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI4060-B1B-FM	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频发射器 +13 dBm sub-GHz transmitter	1:¥13.1419 10:¥12.9046 25:¥12.6786 50:¥12.4526	参考库存:6590
TGA2624-CP	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 9-10GHz 16W GaN Power Amplifier	1:¥3,012.128 25:¥2,443.512	参考库存:4317
NPT2021	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT	1:¥562.0846 2:¥552.9429 5:¥541.1118 10:¥532.4221	参考库存:4794
AD8362ARUZ-REEL7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 50Hz TO 3.8GHz 65dB	1:¥106.5025 10:¥96.6602 25:¥90.8294 50:¥87.4394 1,000:¥62.1613	参考库存:5921
NT3H1201W0FHKH	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 NTAG I2C NFC Forum type 2 Tag compliant	1:¥8.8366 10:¥7.5032 100:¥5.7517 500:¥5.085 4,000:¥3.5708	参考库存:13193