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无线和射频半导体
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J211-D74Z

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1
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3.6838
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.92208
922.08
2,000
¥0.78422
1568.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Id-连续漏极电流
20 mA
最大漏极/栅极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
封装
Ammo Pack
配置
Single
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
RF JFET
系列
J211
类型
JFET
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
闸/源截止电压
- 4.5 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
J211_D74Z
单位重量
201 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MD-179-PIN
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