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无线和射频半导体
MW6S004NT1参考图片

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MW6S004NT1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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数量单价合计
1
¥85.1342
85.1342
10
¥78.0717
780.717
25
¥70.9979
1774.9475
100
¥63.8563
6385.63
1,000
¥47.9459
47945.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
增益
18 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
2 GHz
系列
MW6S004NT1
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935320257515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格，MW6S004NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F1956NBGI
IDT
无线和射频半导体
衰减器 7-Bit 0.25dB WideB 31.5dB Attenuator
1:¥57.2458
10:¥52.4772
25:¥47.6408
50:¥45.2565
参考库存:5392
1SV271TPH3F
Toshiba
无线和射频半导体
PIN 二极管 VARICAP DIODE
1:¥4.1471
10:¥2.7233
100:¥1.5255
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:13604
HMC634LC4
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 SMT Driver amp, 5 - 20 GHz
1:¥484.9395
5:¥470.2608
10:¥455.5821
25:¥440.9034
参考库存:1681
HMC3653LP3BETR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Linear Driver, Gain Block
1:¥198.4732
5:¥187.5687
10:¥183.0374
25:¥164.5167
500:¥141.928
参考库存:3258
1SV263-TL-E
ON Semiconductor
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN DI SINGLE RS 4 OHM
1:¥4.0002
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:18115
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