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无线和射频半导体
BFP 640 H6327参考图片

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BFP 640 H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.8193
181.93
1,000
¥1.4125
1412.5
3,000
¥1.2091
3627.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
40 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640H6327XTSA1 BFP64H6327XT SP000745306
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 640 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LT5534ESC6#TRPBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 3GHz Log Amp 射频检测器
1:¥87.3716
25:¥57.9351
100:¥47.8668
250:¥45.4938
2,500:¥41.4936
参考库存:13818
ADRF6516ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 31MHz Dual Prog Filters & VGA
1:¥142.4591
5:¥137.7018
10:¥132.775
25:¥126.4018
1,500:¥96.9766
参考库存:10705
F1192BNLGK
IDT
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥90.8294
10:¥82.5239
25:¥76.3767
50:¥74.3088
参考库存:7467
TGL2209
Qorvo
无线和射频半导体
射频无线杂项 8-12GHz 50W GaAs IL <.5dB
50:¥224.0677
100:¥181.5006
250:¥165.206
500:¥150.3013
参考库存:5519
WF200SC
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频收发器
1:¥30.2727
10:¥29.6625
25:¥29.1201
50:¥28.589
参考库存:6441
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