BGA7H1N6E6327XTSA1详细参数_参考价格_BGA7H1N6E6327XTSA1 PDF资料_Infineon Technologies

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSNP-6
类型	LNA for LTE
技术	SiGe
工作频率	2300 MHz to 2690 MHz
P1dB - 压缩点	- 1 dBm
增益	12.5 dB
工作电源电压	3.3 V
NF—噪声系数	0.6 dB
OIP3 - 三阶截点	6 dBm
工作电源电流	4.7 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Infineon Technologies
输入返回损失	11 dB
隔离分贝	21 dB
Pd-功率耗散	60 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	15000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	7H1N6 BGA E6327 SP001109130
单位重量	1 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EFR32BG12P433F1024GL125-B	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC BGA125 dual 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO	260:¥79.9927 520:¥75.4614 1,040:¥74.3766	参考库存:45103
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STW81103ATR	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Multi-Band RF Freq Integer-N VCO Synth	3,000:¥46.1831	参考库存:45123