F1912NCGI详细参数_参考价格_F1912NCGI PDF资料_IDT

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	QFN-20
最大衰减	31.5 dB
最大频率	4 GHz
位数	6 bit
通道数量	1 Channel
阻抗	50 Ohms
最大 VSWR	-
衰减器步长	0.5 dB
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
封装	Tray
功率额定值	1.5 W
系列	F1912
技术	Silicon
类型	Digital Attenuator
商标	IDT
介入损耗	33 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	1 MHz
工作电源电压	3 V to 5.25 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free
零件号别名	F1912 IDTF1912NLGK
单位重量	123 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TRF371135IRGZT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 1.7-6.0GHz Wide BW Dir Down Conv Rcvr	1:¥171.6583 5:¥164.5167 10:¥158.2904 25:¥151.2166 250:¥128.933	参考库存:2562
HMC480ST89E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 5 GHz	1:¥38.0358 10:¥34.2729 100:¥28.0466 250:¥26.5889	参考库存:1959
A66-1	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 10-1000MHz NF 3.0dB Gain 27.5dB	1:¥1,799.2086	参考库存:1501
TGA2512-1-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 4-14 GHz LNA Self Biased	1:¥326.344 25:¥270.2508 100:¥223.7626 250:¥208.1573	参考库存:2498
BFP650FH6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥4.068 10:¥3.4239 100:¥2.0905 1,000:¥1.6159 3,000:¥1.3786	参考库存:103165