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无线和射频半导体
3SK294(TE85L,F)参考图片

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3SK294(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
26 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
500 MHz
系列
3SK294
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
商品其它信息
优势价格,3SK294(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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500:¥36.725
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1:¥5.3788
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
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1:¥34.0356
25:¥22.5887
100:¥18.6676
250:¥17.7523
500:¥16.1364
1,500:¥15.7522
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1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
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无线和射频半导体
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1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.119
500:¥6.2941
3,000:¥4.407
参考库存:17722
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