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无线和射频半导体
HFA3101BZ参考图片

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HFA3101BZ

  • Renesas / Intersil
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
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数量单价合计
1
¥61.7771
61.7771
10
¥55.8672
558.672
25
¥53.2456
1331.14
100
¥46.2622
4626.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
98
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格，HFA3101BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HTSICH5601EW/V7:00
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 HTSICH5601EW/UNCASED//V7/WAFER SAWN FFC NDP NO MAR
22,000:¥0.89157
44,000:¥0.81473
66,000:¥0.78422
110,000:¥0.75258
参考库存:42837
SL2ICS5301EW/V7:00
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 SL2ICS5301EW/UNCASED//V7/WAFER SAWN FFC NDP NO MAR
28,000:¥1.1978
56,000:¥1.1639
参考库存:42842
HMC797APM5ETR-R5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Amplifiers
500:¥1,220.1401
参考库存:42847
SL3ICS1002FUG/V7AF
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 SawnWafer(Au-Bumped)
600,000:¥0.40002
参考库存:42852
SMA32-1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 100-2000MHz NF 2.5dB Gain 11.5dB
10:¥1,566.3834
参考库存:42857
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