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无线和射频半导体
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SS9018GBU

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10
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100
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
SS9018
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
72
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Bulk
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
198
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
工作频率
1100 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
1100 MHz
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
400 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
SS9018GBU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格，SS9018GBU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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200:¥39.5726
500:¥32.7361
1,000:¥26.4307
参考库存:3473
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1:¥106.5025
10:¥96.6602
25:¥90.8294
50:¥87.4394
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HMC7912LP5E
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上下转换器 21.2-23.6GHz VGA Up-converter
1:¥395.5678
5:¥383.5898
10:¥371.6005
25:¥359.6112
参考库存:3172
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