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无线和射频半导体
BFU590QX参考图片

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BFU590QX

  • NXP Semiconductors
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  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.763
57.63
100
¥3.7177
371.77
1,000
¥2.9719
2971.9
2,000
¥2.5086
5017.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT89-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
130
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
8 GHz
最大直流电集电极电流
300 mA
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934067977115
单位重量
40.337 mg
商品其它信息
优势价格，BFU590QX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC260ALC3BTR
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射频混合器 Mixer
100:¥349.7011
200:¥327.7226
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