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无线和射频半导体
BFR 182 E6327参考图片

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BFR 182 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.76049
2281.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR182
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.035 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 10 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.035 A
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR182E6327HTSA1 BFR182E6327XT SP000011051
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 182 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 1.9-3.6V 2.4GHz XCVR ENHNCD SHCKBRST
1:¥27.9675
10:¥22.4418
100:¥20.4417
250:¥18.4416
1,500:¥13.221
参考库存:32495
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:2822
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 48 PIN SiP 256K MCU + 802.15.4 Sub-Ghz Radio
1:¥30.6569
10:¥30.1936
25:¥28.1257
100:¥27.3573
4,000:¥25.5832
参考库存:32502
无线和射频半导体
衰减器 CHIP ATTENUATOR 4dB +/-0.3dB
1:¥0.7684
10:¥0.5537
100:¥0.3842
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.25312
参考库存:52179
无线和射频半导体
射频混合器 Mixers
1:¥448.2032
5:¥434.6093
10:¥421.0041
25:¥407.478
参考库存:2866
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