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无线和射频半导体
BFP842ESDH6327XTSA1参考图片

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BFP842ESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
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  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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¥2.938
29.38
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP842
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
3.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.1 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
450
工作频率
60 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
120 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
842ESD BFP BFP842ESDH6327XT H6327 SP000943012
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格，BFP842ESDH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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