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无线和射频半导体
BFR 193 E6327参考图片

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BFR 193 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.61472
1844.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 193 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5519ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 Dual Channel Log Detector
1:¥81.2922
10:¥73.7664
25:¥69.382
50:¥66.7717
1,500:¥47.4826
参考库存:5654
ADF4154BRUZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
参考库存:2786
F1950NBGI
IDT
无线和射频半导体
衰减器 7-Bit 0.25 dB Glitch Free Atten
1:¥50.2511
10:¥46.0249
25:¥41.7987
50:¥39.7308
参考库存:4008
MAX2016ETI+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频检测器 LF-2.5GHz Dual Log Detector/Controller
1:¥154.2224
10:¥143.2275
25:¥124.639
参考库存:2705
MRF1518NT1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥83.0663
10:¥76.3767
25:¥72.998
100:¥64.5456
1,000:¥51.0986
参考库存:6107
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