T2G6000528-Q3详细参数_参考价格_T2G6000528-Q3 PDF资料_Qorvo

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	650 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	-
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	12.5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
应用	Military Radar, Professional and Military Radio Communications
配置	Single
工作频率	DC to 6 GHz
系列	T2G
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors
零件号别名	1099997

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
F2910NBGP/W	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC High Reliability SPST Absorptive RF Switch with Kz	3,000:¥6.7461 6,000:¥6.4975 9,000:¥6.2489	参考库存:44197
EZR32WG230F64R63G-B0R	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 64 kB M4, +20 dBm PRO, QFN64 wireless MCU	1,000:¥33.3463	参考库存:44202
SI1013-C-GM2R	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR	2,500:¥33.8887	参考库存:44207
HMC347ALP3ETR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC Switches	500:¥418.3147	参考库存:44212
MMA053PP5	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器	25:¥830.7986 50:¥777.5417 100:¥750.2635	参考库存:44217