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无线和射频半导体

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BFR 340L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.90626
906.26
15,000
¥0.66896
10034.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR340L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90 at 5 mA at 3 V
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
14000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.01 A
Pd-功率耗散
60 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR340L3E6327XTMA1 BFR34L3E6327XT SP000013558
商品其它信息
优势价格，BFR 340L3 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EZR32WG330F128R69G-B0R
Silicon Labs
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10:¥883.7391
25:¥865.1393
50:¥852.8449
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无线和射频半导体
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490:¥94.5132
980:¥88.366
参考库存:39255
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