HMC457QS16GE详细参数_参考价格_HMC457QS16GE PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

公司名：微信：

库存：2,517(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QSOP-16
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	1.7 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	29 dBm
增益	27 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	6 dB
OIP3 - 三阶截点	45 dBm
工作电源电流	500 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC457
封装	Cut Tape
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	11 dB
Pd-功率耗散	2.78 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	288 mg

商品其它信息

优势价格，HMC457QS16GE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ATSAMB11-XR2100A	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC External Antenna SiP Module	1:¥62.5455 10:¥57.7882 25:¥52.9405 50:¥50.7144	参考库存:3631
MRFE6VP61K25HR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H	1:¥1,330.9479 5:¥1,298.9011 10:¥1,266.7074 25:¥1,248.9551 50:¥1,248.9551	参考库存:1653
SKY66111-11	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2400-2485MHz BLE FEM Pout 10dBm	1:¥12.7577 10:¥11.526 25:¥10.2943 100:¥9.2208 4,500:¥5.1076	参考库存:5305
ATSAMB11G18A-MU-T	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC BLE 4.1 SOC Ultra Low Power	1:¥34.4989 10:¥31.8886 25:¥29.1992 50:¥27.9675 4,000:¥24.5888	参考库存:20512
EM351-RTR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC IEEE 802.15.4 2.4 GHz SoC	1:¥46.1831 10:¥43.5728 25:¥42.3411 50:¥41.0303 2,000:¥34.578	参考库存:11119