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无线和射频半导体
SD57030-01参考图片

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SD57030-01

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
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数量单价合计
1
¥437.4456
437.4456
5
¥427.6146
2138.073
10
¥410.9358
4109.358
25
¥397.647
9941.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M250
封装
Bulk
配置
Single
高度
3.94 mm
长度
9.91 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57030-01
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.09 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.8 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
74 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,SD57030-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 65MHz Bandwidth Quad IF Receiver
1,500:¥1,072.4604
参考库存:23029
无线和射频半导体
射频放大器 7-14GHz NF 1.1dB SSGain 26dB
100:¥253.8771
参考库存:23034
无线和射频半导体
上下转换器 High-Gain 3GHz to 4GHz Downconv
2,500:¥100.5813
参考库存:13684
无线和射频半导体
射频接收器 Fully integrated GPS/Galileo/GLONASS/BeiDou/QZSS receiver with embedded RF and in-package Flash
1:¥82.2188
10:¥74.3088
25:¥70.851
100:¥61.5511
参考库存:23041
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz ORL 17dB In Return Loss 45dB
1:¥779.1576
25:¥737.664
参考库存:23046
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