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无线和射频半导体
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MRF157

  • MACOM
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
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参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
60 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
21 dB
输出功率
600 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
80 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
1.35 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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